存储器及其制造方法

摘要

本发明中，首先在绝缘性基片上形成第1铝布线，在硅氧化膜上形成的开口部内形成由钨电极和含硅铝合金电极构成的基本单元。然后在硅氧化膜上形成与第1铝布线正交的多条线状的第2铝布线。在多条第1、第2铝布线的各交点配置基本单元，构成存储单元阵列。当大电流流过基本单元时，铝合金电极中的硅在界面附近析出，电阻值增大。反向的大电流流过时，硅扩散、阻值下降。通过用微小电流检测该电阻值的高低，读出数据。$

主权项

1.一种存储器，其特征在于包括：第1导电性构件即第1铝布线；与第1导电性构件相对设置的第2导电性构件即第2铝布线；以及设置在第1导电性构件和第2导电性构件之间的具有当规定值以上的电流流过时由所产生的原子移动引起电阻变化的特性、且具有将电阻高的状态和电阻低的状态作为数据保持功能的电阻变化构件，通过上述第1、第2导电性构件供给大于规定值的第1电流至上述电阻变化构件，即可写入上述数据，而供给小于上述规定值的第2电流即可读出上述数据，该电阻变化构件由钨电极和铝电极构成。