纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺

摘要

本发明属纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺。包括清洗衬底、蒸镀掩膜、涂胶、光刻、去胶、引晶、去掩膜和生长金刚石膜过程。衬底是硅、Si₃N₄或Mo，其表面蒸镀SiO₂或Mo作掩膜，经光刻形成所需图形。再在纳米金刚石微粉的胶体溶液中引晶。去掩膜后用热灯丝CVD方法在有晶种的区域生长金刚石膜。本发明的工艺，选择比高、金刚石膜生长速度快、图形完整、对衬底无损伤、可在多种衬底上实现大面积均匀的选择性生长，适于在微电子领域广泛应用。$

主权项

1、一种纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺，包括清洗衬底(1)、涂胶(3)、光刻去胶(4)和生长金刚石膜(7)的过程，采用热灯丝化学气相沉积方法在衬底(8)上生长金刚石膜(12)，其特征在于，在清洗衬底(1)后，要经过蒸镀掩膜(2)的过程再涂胶(3)；在光刻去胶(4)后要经过引晶(5)过程和去掩膜(6)过程，再生长金刚石膜(7)；所说的衬底(8)包括Si衬底或Si3N4衬底或Mo衬底，在其表面蒸镀一层SiO2膜或Mo膜作掩膜(9)；所说的引晶(5)是将光刻去胶(4)得到所需图形的衬底(8)在含纳米金刚石微粉的胶体溶液中悬挂纳米金刚石微粉(11)，胶体溶液是事先配制的，是将经过纯化处理的纳米金刚石微粉(11)混入丙酮溶液，金刚石微粉(11)与丙酮溶液的重量比为1∶(5000～20000)，超声振荡均匀后再静置1天以上；所说的去掩膜(6)是在引晶(5)后去掉衬底(8)上的SiO2膜或Mo膜，办法是将衬底(8)正面向下分两次以上分别在纯净的浓HF溶液或HNO3中浸泡并摇晃。