| 发明名称 |
Herstellungsverfahren für Halbleiterspeichervorrichtung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19710491(C2) |
申请公布日期 |
2002.03.28 |
| 申请号 |
DE19971010491 |
申请日期 |
1997.03.13 |
| 申请人 |
LG SEMICON CO., LTD. |
发明人 |
YANG, WOUN-SUK;LEE, CHANG-JAE |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L21/82;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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