| 摘要 |
<p>Das steuerbare Halbleiterbauelement (1) weist einen Körper (10) aus dotiertem Silizium, das von zwei voneinander getrennten Elektroden (3, 4) kontaktiert ist, zwischen denen eine elektrische Betriebsspannung (U) des Bauelements (1) anzulegen ist. Eine Steuerelektrode (2), an die eine elektrische Steuerspannung (Us) zur Steuerung des Bauelements (1) anzulegen ist, ist vom Silizium des Körpers (10) durch elektrisch isolierendes Material (100) isoliert. Erfindungsgemäss weist die Steuerelektrode (2) zwei durch eine Lücke (23) voneinander getrennte Steuerelektrodenabschnitte (21, 22) auf. Anwendung z.B. bei IGBTs und MOS-Transistoren.</p> |
