用于在一个衬底上形成不同厚度的双栅极氧化层的方法

摘要

一种用于制造包括在一个晶片上由两个不同厚度的绝缘层构成的双栅极氧化物层的半导体器件的方法,在一个示例的实施例中,制造一种半导体结构,其中在半导体材料上方提供第一绝缘层,并利用适用于盖住第一层的第二绝缘保护层覆盖所述第一层。然后,使用第二层保护第一层除去半导体材料的一个区域的上方的第一层和第二层,此时剩下随后被暴露的半导体材料的区域。在第一和第二层以及相邻的暴露的半导体材料区域的上方形成第三绝缘材料层;然后在第三绝缘层上方形成栅极材料。最后,进行刻蚀步骤,通过栅极材料和底层直到半导体材料进行刻蚀,从而形成厚栅极区域和薄栅极区域。使用基本相同的制造处理,厚栅极区域和薄栅极区域可以被形成在同一衬底上。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体材料上方提供第一绝缘材料层；由适用于掩盖(mask)第一层的第二绝缘保护层覆盖所述第一层；在使用第二层保护第一层的同时除去在半导体材料的一个区域的上方的第一层和第二层，其中使和这两层相邻的半导体材料的区域被暴露；在第一和第二层以及相邻的暴露的半导体材料区域的上方形成第三绝缘材料层；在第三绝缘层上方淀积栅极材料；以及刻蚀栅极材料层直到半导体材料，从而在半导体材料上形成厚栅极区域和薄栅极区域。