发明名称 |
Integrated memory device with memory cells and buffer capacitors |
摘要 |
<p>Ein integrierter Speicher enthält Speicherzellen (MC), die jeweils einen Auswahltransistor (TM) und eine Speicherkapazität (CM) umfassen. Je Speicherzelle (MC) ist die Speicherkapazität (CM) über den Auswahltransistor (TM) mit einer von mehreren Spaltenleitungen (BLN) sowie ein Steueranschluß des Auswahltransistors (TM) mit einer von mehreren Zeilenleitungen (WLN) verbunden. Es sind Pufferkapazitäten (CP) vorgesehen, die jeweils mit einem Kontakt (K2) zu einer weiteren der Spaltenleitungen (BLK) verbunden sind. Die Pufferkapazitäten (CP) sind derart angeordnet, daß die Verbindung (GB) zwischen der jeweiligen Pufferkapazität (CP) und dem Kontakt (K2) parallel zu einer weiteren der Zeilenleitungen (WLK) angeordnet ist. Dadurch ist eine dauerhaft hohe Spannungsfestigkeit mittels der Pufferkapazitäten sichergestellt. <IMAGE></p> |
申请公布号 |
EP1191595(A2) |
申请公布日期 |
2002.03.27 |
申请号 |
EP20010120136 |
申请日期 |
2001.08.21 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
FEURLE, ROBERT;SAVIGNAC, DOMINIQUE, DR. |
分类号 |
G11C11/401;G11C11/34;G11C11/407;H01L21/334;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L27/06 |
主分类号 |
G11C11/401 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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