发明名称 电子装置
摘要 提供一种电子装置,其中防止装置的退化和改善孔径比,而没有使用黑掩模和没有提高掩模数量。在该电子装置中,第一电极(113)形成在一个层上,该层与其上形成栅极配线作为栅电极(145)的层不同,和具有像素开关TFT的半导体层重叠在栅极配线(145)上,从而不受光的照射。因此,抑制TFT的退化,并实现高孔径比。
申请公布号 CN1341970A 申请公布日期 2002.03.27
申请号 CN01119275.5 申请日期 2001.02.28
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平;小山润;犬饲和隆
分类号 H01L31/12;H05B33/00;H01L21/00;G09F9/30 主分类号 H01L31/12
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 罗朋;梁永
主权项 1.一种电子装置,包括多个源极配线,多个栅极配线,多个电流供应线和多个像素,其特征在于:其中每个所述像素包括一个开关TFT,一个电流控制TFT,和一个发光元件;和所述开关TFT包括:一个半导体层,具有位于绝缘表面上的源极区域和漏极区域,和夹在所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道形成区域;第一绝缘膜,形成在所述半导体层上;一个电极,形成在所述第一绝缘膜上从而重叠在所述沟道形成区域上;一个源极配线,形成在所述第一绝缘膜上;第二绝缘膜,覆盖所述电极和所述源极配线;和一个栅极配线,形成在所述第二绝缘膜上并且与所述电极连接。
地址 日本神奈川县
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