| 发明名称 | 磁电阻换能器、形成磁膜的方法和磁记录／重放驱动器 | ||
| 摘要 | 一种磁电阻换能器，包括：一个多层膜，它含有顺序迭加的第一软磁性层、非磁性层、第二软磁性层和反铁磁性层，该第一软磁性层含有由(Co<SUB>y</SUB>Fe<SUB>100-y</SUB>)<SUB>100-x</SUB>B<SUB>x</SUB>合金层和(Co<SUB>y</SUB>Fe<SUB>100-y</SUB>)<SUB>100-x</SUB>C<SUB>x</SUB>合金层之一构成的一个合金层，其中x和y表示原子百分数(at％)，该合金层紧靠所述的非磁性层，该合金层具有面心立方晶格结构，其晶格常数小于Co<SUB>y</SUB>Fe<SUB>100-y</SUB>合金的晶格常数；以及一对电极，它形成在所述的多层膜上，允许读出电流通过所述的多层膜。$#! | ||
| 申请公布号 | CN1081819C | 申请公布日期 | 2002.03.27 |
| 申请号 | CN97103102.9 | 申请日期 | 1997.02.28 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 金井均;兼淳一;山田健一郎 |
| 分类号 | G11B5/39 | 主分类号 | G11B5/39 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蒋世迅 |
| 主权项 | 1.一种磁电阻变换器，包括：一个多层膜，它含有顺序迭加的第一软磁性层、非磁性层、第二软磁性层和反铁磁性层，该第一软磁性层含有由(CoyFe100-y)100-xBx合金层和(CoyFe100-y)100-xCx合金层之一构成的一个合金层，其中x和y表示原子百分数(at％)，y的范围是85-95at％，而x的范围是2-9at％，该合金层紧靠所述的非磁性层，该合金层具有面心立方晶格结构，其晶格常数小于CoyFe100-y合金的晶格常数；以及一对电极，它形成在所述的多层膜上，允许读出电流通过所述的多层膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||