| 摘要 |
<p>본 발명은, 강유전체 캐패시터와 연결되는 금속 배선 형성 공정에서 발생하는 강유전 특성 저하를 보상할 수 있는 강유전체 메모리 소자 제조 방법에 관한 것으로, 강유전 반도체 소자의 금속 배선 형성 공정에서 발생하는 강유전체 캐패시터의 전압 이동 현상을 보상하기 위하여, 금속 배선 형성 후 플라즈마 처리를 실시하여 반대 방향의 전압 이동 현상을 유발함으로써 금속배선 형성시 발생한 전압 이동에 의한 강유전체 캐패시터의 특성 저하를 최소화할 수 있는 강유전체 메모리 소자 제조 방법을 제공하는데 그 특징이 있다.</p> |
