| 摘要 |
<p>본 발명은 도핑된 실리콘층과 이에 접촉되는 연결배선 형성용 ITO금속 간의 접촉저항을 개선시킬 수 있는 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 절연기판 위에 활성층을 형성하는 공정과, 활성층 위에 게이트절연막을 개재시키어 게이트전극을 형성하는 공정과, 활성층에 게이트전극을 마스크로 하여 불순물을 도핑시키어 불순물영역을 형성하는 공정과, 상기 구조를 덮되, 불순물영역을 노출시키는 층간절연막을 형성하는 공정과, 층간절연막 상에 불순물영역을 덮도록 Ti, In, Zn 중 적어도 어느 하나를 증착하여 도전막을 형성하는 공정과, 도전막에 열처리를 진행시키어 도전산화막을 형성하는 공정과, 도전산화막을 덮어 불순물영역과 연결되는 연결배선을 형성하는 공정을 구비한 것이 특징이다. 따라서, 본 발명에서는 불순물이 도핑된 실리콘층과 연결배선 형성용 ITO금속 사이에 도전산화막을 개재시킴으로써 실리콘층과 ITO금속 간의 접촉저항을 크게 개선시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 도전산화막은 투명하면서 동시에 하부의 접촉되는 박막에 따라 절연특성 및 도전특성을 모두 가지고 있기 때문에 연결배선 형성 시 별도로 식각하지 않아도 된다. 그러므로, 도전산화막 포토공정이 생략가능하므로 전체공정이 단순화된다. 그리고, 본 발명의 도전산화막은 접촉되는 막들 간의 보호층 역할을 하므로 공정불량을 줄일 수 있는 이점이 있다.</p> |
