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<p>트렌치의 깊이를 얕게 형성하면서도 실제 소자분리 깊이는 변하지 않게 함으로써 소자분리 특성을 열화시키지 않으면서 공정을 용이하게 진행할 수 있는 트렌치 소자분리 방법에 대해 개시되어 있다. 이 방법은, 반도체기판의 비활성영역에 트렌치를 형성하는 단계와, 트렌치의 내측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 트렌치의 바닥면에 다공성(porous) 실리콘막을 형성하는 단계와, 다공성(porous) 실리콘막을 산화시키는 단계, 및 트렌치를 절연물질로 매립시키는 단계로 이루어진다.</p> |
