| 摘要 |
<p>본 발명은 게이트의 프로파일을 변형시켜 고집적화에 따른 스페이서 마진을 확보하여 보이드 발생을 방지할 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따라, 반도체 기판 상에 폴리실리콘막과 금속 실리사이드막을 순차적으로 형성하고, 금속 실리사이드막 상부에 절연막을 형성하고 식각하여 그의 수직 프로파일이 소정의 경사각을 갖는 마스크 절연막을 형성한다. 그런 다음, 마스크 절연막을 식각 마스크로 하여 금속 실리사이드막 및 폴리실리콘막을 식각하여 금속 실리사이드막의 측벽이 오목한 수직 프로파일을 갖는 도전막 패턴을 형성한다. 그리고 나서, 기판 전면에 층간절연막을 형성하고, 층간절연막을 800 내지 1,000℃의 온도로 급속열처리한다. 본 실시예에서, 마스크 절연막은 옥시 나이트라이드막으로 형성하고, 350 내지 400mTorr의 일정한 압력에서 CF개스와 CHF개스의 비율을 60 내지 80 : 30 내지 50으로 조절하여 식각하여, 60 내지 80°의 경사각을 갖도록 형성한다. 또한, 금속 실리사이드막 및 폴리실리콘막의 식각은 플라즈마를 이용하여 진행한다.</p> |
