发明名称 Apparatus for Ion Implantation
摘要 <p>목적 : 이온주입공정에서 웨이퍼의 승하강에 대응하는 센싱패턴을 감지하여 반도체 소자가 제조되는 영역에서 웨이퍼의 온도를 감지할 수 있는 이온주입장비에 대해 개시한다. 구성 : 본 발명은, 웨이퍼에 이온주입이 이루어지는 챔버를 포함하는 이온주입장비에 적용되는데, 웨이퍼를 승하강시키며 반도체 소자가 제조되는 웨이퍼의 위치에 대응하여 센싱패턴이 형성된 리프터와, 이 센싱패턴을 감지하여 제어펄스를 발생시키는 검출기와, 검출기로부터 출력된 제어펄스를 받아 웨이퍼 온도검출신호를 출력하는 제어기와, 챔버내에 위치하며 웨이퍼 온도검출신호를 받아 동작하는 웨이퍼 온도검출센서를 포함하여 이루어진 것이다. 효과 : 이에 따라, 이온주입공정중에 실시간으로 웨이퍼의 온도를 측정함으로써 공정속도를 향상시킬 수 있고, 이에 따라 쑤루풋을 증대시킬 수 있다.</p>
申请公布号 KR100328811(B1) 申请公布日期 2002.03.14
申请号 KR19990036817 申请日期 1999.09.01
申请人 null, null 发明人 임병기
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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