| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 장치의 연결부 형성방법에 관한 것으로, 종래 반도체 장치의 연결부 형성방법은 콘택홀을 형성한 후, 그 콘택홀에 잔존하는 식각부산물을 제거하는 과정에서 그 콘택홀의 측면부가 균일하지 않게 변형되며, 이에 따라 그 콘택홀 내에 형성하는 연결부에 공극이 발생할 수 있으며 이는 연결부의 저항특성을 변화시킴으로써, 반도체 장치의 특성을 열화시키는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 반도체 소자가 형성된 기판의 상부에 상부면이 평탄한 절연막을 증착하는 층간절연막 형성단계와; 상기 절연막에 콘택홀을 형성하여 상기 반도체 소자의 특정영역을 노출시키는 콘택홀 형성단계와; 세정공정을 통해 상기 콘택홀 형성시 발생한 식각부산물을 제거하는 세정단계와; 상기 구조의 상부전면에 금속을 증착하고, 그 금속을 평탄화하여 상기 콘택홀 내에 연결부를 형성하는 연결부 형성단계를 포함하는 반도체 장치의 연결부 형성방법에 있어서, 상기 콘택홀 형성단계를 수행한 후 그 콘택홀의 측면에 다결정실리콘 측벽을 형성하는 식각방지막 형성단계를 더 포함하여 콘택홀을 형성하고, 그 콘택홀의 측면에 식각방지막인 다결정실리콘 측벽을 형성하여, 세정공정에 의해 콘택홀의 측면부가 변형되는 것을 방지함으로써, 공극이 없는 연결부를 형성할 수 있으며 이에 따라 반도체 장치의 특성이 열화되는 것을 방지하는 효과가 있다.</p> |
