| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein magnetisches Dünnschichtbauelement, das sich insbesondere für eine bzgl. der Stromdurchlaßrichtung umschaltbare Diode und daraus aufgebauter frei programmierbarer logischer Arrays einsetzen läßt. Die Aufgabe, ein solches Bauelement anzugeben, das einerseits kompatibel zu bekannten Halbleiteranordnungen und -technologien sind und eine hohe Integrationsdichte ermöglichen und andererseits eine hohe Langzeitstabilität aufweisen soll, wird dadurch gelöst, daß Magnetisches Dünnschichtbauelement, bestehend aus zumindest drei magnetischen Teilschichten, die voneinander magnetisch isoliert angeordnet sind, wobei den magnetischen Teilschichten unterschiedliche Magnetisierungsrichtungen derart ausgeprägt sind, daß die Magnetisierungsrichtungen in den drei magnetischen Teilschichten untereinander jeweils stets orthogonal ausgerichtet sind, wobei Mittel vorgesehen sind, die die Magnetisierungsrichtung wenigstens einer der magnetischen Teilschichten in die entgegengesetzte Richtung umzukehren gestatten und die jeweils äußersten magnetischen Teilschichten mit einer elektrischen Kontaktierung versehen sind.</p> |
