发明名称 采用离轴照明用来光刻布线图案的掩模版
摘要 在离轴照明光刻器具中掩模用来增大某些特征图形间的焦深和减小临界尺寸差别。第一掩模在孤立边缘邻近设置作为散射条的附加线214,其间距使孤立和密集的边缘梯度相匹配从而邻近效应可忽略,条宽能实现特征图形的最大焦深范围。第二掩模仅对四极式照明有效,它“抬高”了较小方形接触部的强度级和焦深范围使其接近于较大狭长接触部的强度级和焦深范围。第二掩模包含称为抗散射条的附加窗口。散射条和抗散射条都不会转印到抗蚀剂上$#!
申请公布号 CN1080896C 申请公布日期 2002.03.13
申请号 CN95191552.5 申请日期 1995.02.09
申请人 米克鲁尼蒂系统工程公司 发明人 郑江丰;詹姆斯·A·马修斯
分类号 G03F7/20;G03F1/14 主分类号 G03F7/20
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 郑中军
主权项 1.一种改进的掩模版,用在使一掩模版上对应于一集成电路的光刻图案用光学方法转印到一半导体基版上的设备中,所述图案包括一第一种类型的特征图形,它至少有一条相对于所述图案中其它边缘是孤立的边缘,和一第二种类型的特征图形,它的所有边缘相对很接近所述图案中的所述其它边缘,所述设备采用离轴照明方式,其中所述离轴照明使所述第二类型特征图形的焦深范围大于所述第一类型特征图形的焦深范围,所述改进的掩模版包括:一组与所述第一种类型的特征图形具有相同透光度的散射条,其中每条所述附加线对应于所述孤立边缘并离所述孤立边缘以一预定间距设置于掩模版上,其特征是:所述散射条的所述宽度的选定应按下述:增大所述第一类型特征图形的所述焦深范围,从而使所述焦深范围接近所述第二类型特征图形的所述焦深范围,其中所述一组散射条具有的宽度是设备不可分辨的。
地址 美国加利福尼亚