制造半导体结构的方法

摘要

制造半导体结构的一种优选的方法，包括改变一种外延基区双极晶体管（10）的基区层（17、21）中多晶晶界（38）的方向和使其位置最佳。通过淀积将形成较低的基区部分的基区层（17）后对半导体结构进行退火，可以实现晶界（38）的改变。改变晶界（38）对降低基区电阻（Rbx1，Rbx2）有明显作用。降低基区电阻（Rbx1，Rbx2）能显著地改善器件的性能。$#!

主权项

1.一种制造半导体结构(10)的方法，包括下列步骤：设置底层结构(16)，包括外延区(11)和相邻的隔离区(13)，该外延区与隔离区在界面(50)处相接；以及在底层结构(16)上面形成半导体层(17)，半导体层(17)包括起源于界面(50)处的晶界(38)，该晶界(38)有一个取向，该方法的特征是：通过退火该晶界来改变晶界方向而不移动晶界起点，从而改变晶界的取向。