| 摘要 |
<p>커패시터 하부전극에 브리지(Bridge) 불량이 발생하는 것을 억제시키기에 알맞은 반도체소자의 커패시터 제조방법을 제공하기 위한 것으로써, 반도체기판에 콘택홀을 갖는 층간절연막을 형성하는 공정, 상기 콘택홀을 포함한 층간절연막 상부에 비정질실리콘층을 형성하는 공정, 상기 비정질실리콘층상에 바텀 반사방지 코팅층을 도포하는 공정, 상기 콘택홀 상측의 상기 바텀 반사방지 코팅층의 소정상부에 감광막 패턴을 형성하는 공정, 상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 바텀 반사방지 코팅층을 식각함과 동시에 상기 감광막 패턴 및 상기 바텀 반사방지 코팅층의 양측면에 폴리머를 형성하는 공정, 상기 감광막 패턴과 식각된 바텀 반사방지 코팅층을 마스크로 상기 비정질실리콘층을 패터닝하여 커패시터 하부전극을 형성하는 공정, 상기 감광막 패턴을 제거하는 공정, 상기 커패시터 하부전극의 상측 모서리 부분에만 상기 폴리머가 남도록 세정 공정을 실시하는 공정, 상기 커패시터 하부전극의 표면에 HSG를 형성하는 공정, 상기 커패시터 하부전극상에 커패시터 유전체막을 형성하는 공정, 상기 커패시터 유전체막상에 커패시터 상부전극을 형성하는 공정을 통하여 진행됨을 특징으로 한다.</p> |
