| 摘要 |
<p>본 발명은 양자우물 무질서화 기술에서 유전체-반도체 덮개층 조합에 의한 InGaAs/InGaAsP 양자우물 밴드갭의 조작방법에 관한 것으로서, 유전자 덮개층을 이용하여 InGaAs/InGaAsP 양자우물구조 기판에 국부적으로 다른 밴드갭을 형성하기 위한 양자우물 무질서화 공정에 있어서, 상기 유전체 덮개층으로 SiN나 SiO를 사용하고 InGaAs/InGaAsP 양자우물 상부의 반도체 덮개층으로 동일 두께의 InP이나 InGaAs 혹은 InGaAsP 을 사용하여 양자우물을 무질서화하는 경우, 상기 유전체 덮개층 및 반도체 덮개층을 이용한 유전체-반도체 조합을 양자우물 기판상에 형성하고 소정 온도및 소정 시간의 열처리를 통하여 양자우물구조 기판에 국부적으로 다른 밴드갭을 형성시킴으로써 양자우물 구조의 밴드갭 이동량을 조절할 수 있다.</p> |
