| 主权项 |
1.一种装置,其包括:a)一反应室;及b)一用于将反应物气体流引入至反应室中之细长反应物入口,其通常系特征于主轴及次轴,反应室之形态系大致配合于细长反应入口之形状,及使沿辐射路径射过反应室之辐射光束对应于细长反应物入口之主轴并与反应物流相交。2.一种装置,其包括:a)一具含模槽的室区之反应室;及b)一用于将反应物气体流引入至反应室中之细长反应物入口,其通常系特征于主轴及次轴,以及c)于该模槽中之粒子流,该反应室之形态系大致配合于细长反应入口之形状,该反应室具一垂直于反应物流之横切区,及具一主轴,其方向通常顺应入口之主轴,及使沿辐射路径射过反应室之辐射光束对应于细长反应物入口之主轴并与反应物流相交,其中该反应物流及顺应之惰性气流系占该室体积之大于约50百分比。3.根据申请专利范围第1或2项之装置,其更包括用于将屏蔽气体引入至反应室内之一导管。4.根据申请专利范围第1或2项之装置,其更包括用于将屏蔽气体引入至反应室内之一对导管,各导管系经设置成相对于细长反应物入口成一角度,以致其界定与反应物流相交之路径。5.根据申请专利范围第1或2项之装置,其更包括用于引入屏蔽气体之导管,该导管终止于沿反应室表面处。6.根据申请专利范围第1或2项之装置,其更包括可形成包围至少一部分之反应物流之惰性气体限制流之一或多个惰性气体入口,及其中该反应室之形态系使反应物流及惰性气体限制流占据反应室体积的显着比率。7.根据申请专利范围第1或2项之装置,其更包括用于将屏蔽气体引入至反应室内之一对细长导管,各导管分别系设置于细长反应物入口之各侧,以形成限制反应物流之屏蔽气体流,其中该反应室之形态系使反应物流及屏蔽气体流占据反应室之大部分的体积。8.根据申请专利范围第1或2项之装置,其中该反应室包括用于将辐射光束引入至反应室内之窗。9.根据申请专利范围第1或2项之装置,其中该反应室包括内径不大于辐射光束直径宽度之两倍,且其方向沿着辐射路径之管,及用于将辐射光束引入至反应室中之窗,其中该窗系设在靠近远离反应物流之管的末端。10.根据申请专利范围第1或2项之装置,其中该反应室包括沿辐射路径之一对窗。11.根据申请专利范围第1或2项之装置,其中该反应室更包括沿辐射路径之镜。12.根据申请专利范围第1或2项之装置,其更包括用于产生辐射光束之雷射。13.根据申请专利范围第2项之装置,其中该装置进一步包含一粒子收集系统。14.根据申请专利范围第13项之装置,其中该装置可于连续模式下操作,其中先前制得之粒子系在粒子连续制备中自该粒子收集系统中取出。15.根据申请专利范围第2项之装置,其中该反应物流及顺应惰性气体系占该室体积之大于约80百分比。16.根据申请专利范围第2项之装置,其中该反应物流及顺应惰性气体系占该室体积之大于约90百分比。17.一种装置,其包括:a)一具含模槽的室区之反应室;及b)一用于将反应物气体流引入至反应室中之细长反应物入口,其通常系特征于主轴及次轴,以及c)于该模槽中之粒子流,该反应室之形态系大致配合于细长反应入口之形状,及使沿辐射路径射过反应室之辐射光束对应于细长反应物入口之主轴并与反应物流相交,其中该反应物流及顺应之惰性气流系占该室体积之大于约20百分比。18.根据申请专利范围第17项之装置,其中该室之体积系不超过约10倍之反应物流体积。19.根据申请专利范围第17项之装置,其中该室之体积系介于约2倍及约4倍之反应物流体积之间。20.一种装置,其包括:a)一反应室;及b)一用于将反应物气体流引入至反应室中之细长反应物入口,其通常系特征于主轴及次轴,该反应物入口之主轴系顺应该入口之长轴空间,及c)一圆筒形透镜,该反应室之形态系大致配合于细长反应入口之形状,该反应室具一垂直于反应物流之横切区,及具一主轴,其方向通常顺应入口之主轴,及使沿辐射路径射过该圆筒形透镜及该反应室之辐射光束对应于细长反应物入口之主轴并与反应物流相交。21.根据申请专利范围第20项之装置,其中该圆筒形透镜系对焦于沿着反应物流方向之光。22.根据申请专利范围第20项之装置,其中该反应室进一步包含一管状物,其系沿辐射路径方向定位,且其中该圆筒形透镜系装于该管状物上。23.根据申请专利范围第22项之装置,其中该反应室进一步包含一第二管状物,其系沿辐射路径方向定位,该第二管状物系包含一窗,以使辐射束可存在于该反应室中。24.根据申请专利范围第22项之装置,其中该管状物系包含一惰性气体埠。25.一种装置,其包括:a)一具含模槽的室区之反应室;及b)一用于将反应物气体流引入至反应室中之细长反应物入口,其通常系特征于主轴及次轴,以及c)一粒子收集系统,其系用于该装置之连续操作中,以使粒子可于不停止粒子生产作用之情况下收集,该反应室之形态系大致配合于细长反应入口之形状,该反应室具一垂直于反应物流之横切区,及具一主轴,其方向通常顺应入口之主轴,及使沿辐射路径射过反应室之辐射光束对应于细长反应物入口之主轴并与反应物流相交。26.一种装置,其包括:a)一具含模槽的室区之反应室;及b)一用于将反应物气体流引入至反应室中之细长反应物入口,其通常系特征于主轴及次轴,以及c)一粒子收集系统,该反应室之形态系大致配合于细长反应入口之形状,该反应室具一垂直于反应物流之横切区,及具一主轴,其方向通常顺应入口之主轴,及使沿辐射路径射过反应室之辐射光束对应于细长反应物入口之主轴并与反应物流相交,其中该反应物流及顺应之惰性气流系占该室体积之大于约50百分比。27.一种制造颗粒之方法,其包括:a)将反应物气体以细长反应物流之形式引入至反应室中,此细长反应物流之特征在于主轴及次轴,其中该反应室之形态系大致配合于反应物流之形状;及b)使辐射光束沿着顺反应物流主轴之路径射过反应室,因而在反应物气体中引发反应形成颗粒。28.根据申请专利范围第27项之方法,其中该辐射光束包括电磁辐射。29.根据申请专利范围第27项之方法,其中该辐射光束包括雷射光束。30.根据申请专利范围第27项之方法,其中该反应物流具有大致矩形的横剖面。图式简单说明:图1系本发明装置之一具体实施例之概观。图2系图1装置之气体传送系统及反应室之切开透视图。图3系图2之切开说明自稍微旋转的角度观看的局部透视图。图4系取自沿图3之直线4-4之剖面图。图5系适用于图1装置之光学组件之四个具体实施例之概略剖面图,其中剖面系取自沿通过光学路径之水平面。图6系描绘图1装置之收集系统相对于反应室及气体传送系统之切开透视图。图7系具有多个颗粒收集器之收集系统之部分的概略剖面图。图8系取自沿通过光学路径之水平面之概略剖面图,其描绘沿单一光学路径上之多重反应室之两具体实施例。 |
