| 主权项 |
1.一种局部内连线之接触窗开口的制造方法,该方法包括:提供一基底,该底底上已形成一闸极结构、一第一源极/汲极区与一第二源极/汲极区;于该基底上形成一衬层,以覆盖该闸极结构、该第一源极/汲极区与一第二源极/汲极区;于该衬层上形成一介电层,该介电层具有一平坦表面;于该介电层上形成一光阻层,该光阻层具有一开口裸露出该闸极结构、该第一源极/汲极区与一第二源极/汲极区上方之该介电层;以C5F8/CO/O2/Ar为蚀刻气体,该衬层为蚀刻终止层,以一段式蚀刻的方式蚀刻该光阻层之该开口所裸露之该介电层,以形成一局部内连线接触窗开口,裸露出该衬层;去除该局部内连线接触窗开口所裸露之该衬层,以裸露出该闸极结构、该源极/汲极区与一第二源极/汲极区;以及去除该光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之局部内连线之接触窗开口的制造方法,其C5F8/CO/O2/Ar之蚀刻气体中,C5F8之流量为9sccm-16sccm。3.如申请专利范围第1项所述之局部内连线之接触窗开口的制造方法,其C5F8/CO/O2/Ar之蚀刻气体中,CO之流量为50sccm-250sccm。4.如申请专利范围第1项所述之局部内连线之接触窗开口的制造方法,其C5F8/CO/O2/Ar之蚀刻气体中,O2之流量为7sccm-12sccm。5.如申请专利范围第1项所述之局部内连线之接触窗开口的制造方法,其C5F8/CO/O2/Ar之蚀刻气体中,Ar之流量为300-600sccnm。6.如申请专利范围第1项所述之局部内连线之接触窗开口的制造方法,其C5F8/CO/O2/Ar之蚀刻气体中,C5F8之流量为9sccm-16sccm,CO之流量为50sccm-250sccm,O2之流量为7sccm-12sccm,Ar之流量为300-600sccm。7.一种同时蚀刻具有多种深度与多种口径之接触窗开口的方法,该方法包括:提供一基底,该基底上已形成复数个元件;于该基底上形成一衬层,以覆盖该些元件;于该衬层上形成一介电层,该介电层距离该衬层至少具有一第一深度与一第二深度;于该介电层上形成一光阻层,以界定该些接触窗开口的位置;以C5F8/CO/O2/Ar为蚀刻气体,该衬层为蚀刻终止层,以一段式蚀刻之方式蚀刻未被该光阻层覆盖之该介电层,以裸露出该衬层,形成一局部内连线接触窗开口、一共接触窗开口与一无边界接触窗开口,其中该局部内连线接触窗开口与该共接触窗窗口均具有该第一深度与该第二深度,且该局部内连线接触窗开口之口径大于该共接触窗开口之口径,该共接触窗开口之口径大于该无边界接触窗开口之口径;去除该局部内连线接触窗开口、该共接触窗开口与该无边界接触窗开口所裸露之该衬层,以裸露出该些元件;以及去除该光阻层。8.如申请专利范围第7项所述之同时蚀刻具有多种深度与多种口径之接触窗开口的方法,其C5F8/CO/O2/Ar之蚀刻气体中,C5F8之流量为9sccm-16sccm。9.如申请专利范围第7项所述之同时蚀刻具有多种深度与多种口径之接触窗开口的方法,其C5F8/CO/O2/Ar之蚀刻气体中,CO之流量为50sccm-250sccm。10.如申请专利范围第7项所述之同时蚀刻具有多种深度与多种口径之接触窗开口的方法,其C5F8/CO/O2/Ar之蚀刻气体中,O2之流量为7sccm-12sccm。11.如申请专利范围第7项所述之同时蚀刻具有多种深度与多种口径之接触窗开口的方法,其C5F8/CO/O2/Ar之蚀刻气体中,Ar之流量为300-600sccm。12.如申请专利范围第7项所述之同时蚀刻具有多种深度与多种口径之接触窗开口的方法,其C5F8/CO/O2/Ar之蚀刻气体中,C5F8之流量为9sccm-16sccm,CO之流量为50sccm-250sccm,O2之流量为7sccm-12sccm,Ar之流量为300-600sccm。图式简单说明:第1A图至第1E图,系绘示依照本发明一较佳实施例之一种在介电层中形成具有多种深度与多种口径之接触窗开口的制造流程剖面图。 |
