| 主权项 |
1.一种形成半色调移相光罩用之制造基板,其包含 一片透明基板,一层半色调移相层,以及一张实质 遮光膜,该半色调移相层以及实质遮光膜系成层于 透明基板上,以及该实质遮光膜为包含以钽作为主 要成分之层之单层或多层膜。2.如申请专利范围 第1项之半色调移相光罩用之制造基板,其中,该半 色调移相层为单层或多层膜,其包含一种含金属矽 化物作为主要成分以及进一步含有选自氧、氮及 氟组成的组群之元素之层。3.如申请专利范围第2 项之半色调移相光罩用之制造基板,其中,金属矽 化物为矽化钽。4.如申请专利范围第1项之半色调 移相光罩用之制造基板,其中,该半色调移相层为 单层或多层膜,其包含一种含铬作为主要成分以及 进一步含有选自氧、氮及氟组成的组群之元素之 层。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之半色调 移相光罩用之制造基板,其中,半色调移相层系形 成于透明基板上,该透明基板具有相位差根据下 式系于n/3弧度(n为奇数)之范围: 其中为光垂直透射通过光罩引起的相改变,于光 罩中具有(m-2)层之半色调移相层系设置于透明基 板上,(k,k+1)为发生于第kth层与第(k+1)th层间之介面 之相变化,u(k)及d(k)分别为形成第kth层之材料之折 射率以及膜厚度,以及为曝光波长,但限制条件 为k=1之该层为透明基板以及k=m之该层为空气。6. 如申请专利范围第1至4项中任一项之半色调移相 光罩用之制造基板,其中,一层半色调移相层形成 于透明基板上,当透明基板之曝光透射比定义为100 %时,具有造成曝光透射比系于1至50%之范围的膜厚 度。7.如申请专利范围第5项之半色调移相光罩用 之制造基板,其中,一层半色调移相层形成于透明 基板上,当透明基板之曝光透射比定义为100%时,具 有造成曝光透射比于1至50%范围之膜厚度。8.一种 半色调移相光罩,其包含一片透明基板,一层半色 调移相层,以及一张实质遮光膜,其中,该半色调移 相层以及该实质遮光膜系成层于透明基板上,以及 该实质遮光膜为包含含钽作为主要成分之层的单 层或多层膜。9.如申请专利范围第8项之半色调移 相光罩,其中,该半色调移相层为单层或多层膜,该 膜包含一种含金属矽化物作为主要成分以及进一 步含有选自氧、氮及氟组成的组群之元素之层。 10.如申请专利范围第9项之半色调移相光罩,其中, 金属矽化物为矽化钽。11.如申请专利范围第8项之 半色调移相光罩,其中,该半色调移相层为单层或 多层膜,该膜包含一种含铬作为主要成分以及进一 步含有选自氧、氮及氟组成的组群之元素之层。 12.如申请专利范围第8至11项中任一项之半色调移 相光罩,其中,半色调移相层系形成于透明基板上, 该透明基板具有相位差根据下式系于n/3弧 度(n为奇数)之范围: 其中为光垂直透射通过光罩引起的相改变,于光 罩中具有(m-2)层之半色调移相层系设置于透明基 板上,(k,k+1)为发生于第kth层与第(k+1)th层间之介面 之相变化, u(k)及d(k)分别为形成第kth层之材料之折射率以及 膜厚度,以及为曝光波长,但限制条件为k=1之该 层为透明基板以及k=m之该层为空气。13.如申请专 利范围第8至11项中任一项之半色调移相光罩,其中 ,一层半色调移相层形成于透明基板上,当透明基 板之曝光透射比定义为100%时,具有造成曝光透射 比于1至50%范围之膜厚度。14.如申请专利范围第12 项之半色调移相光罩,其中,一层半色调移相层形 成于透明基板上,当透明基板之曝光透射比定义为 100%时,具有造成曝光透射比于1至50%范围之膜厚度 。图式简单说明: 图1为本发明之半色调移相光罩用之制造基板之第 一具体实施例之剖面图。 图2为本发明之半色调移相光罩用之制造基板之第 二具体实施例之剖面图。 图3为本发明之半色调移相光罩之第一具体实施例 之剖面图。 图4为本发明之半色调移相光罩之第二具体实施例 之剖面图。 图5A至5E为图3所示第一具体实施例之半色调移相 光罩之制法之剖面图。 图6A至6E为图4所示第二具体实施例之半色调移相 光罩之制法之剖面图。 图7A为比较例之半色调移相光罩之剖面图,以及图7 B为比较例之半色调移相光罩用之制造基板之剖面 图。 图8A至8D为说明半色调移相方法之视图。 图9A至9D为以习知方法使用遮光罩说明转写方法( 投射曝光方法)之视图。 |
