| 摘要 |
<p>본 발명은 탄소 애싱(ashing)에 의해 기상(vapor phase)의 유전체를 형성하고 아울러 듀얼 대머신 공정(dual damascene process)을 적용하여 고집적반도체소의 메탈라인을 형성하는 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 듀얼 대머신 공정에 의한 메탈라인 형성 방법에 있어서, 소정 공정이 완료된 기판 상에 제1탄소화합물층을 형성하는 제1단계; 상기 제1탄소화합물층 상에 Zr, Ce, Mg, Ca 및 Gd의 그룹으로 부터 선택된 어느한 물질의 산화물 또는 이들로 부터 선택된 적어도 두 물질이 혼합된 화합물의 산화물을 제1실링산화물층으로서 형성하는 제2단계; 콘택영역이 오픈되도록 상기 제1실링산화물층을 식각하는 제3단계; 결과물 전면에 제2탄소화합물층을 형성하는 제4단계; 상기 제2탄소화합물층 상에 Zr, Ce, Mg, Ca 및 Gd의 그룹으로 부터 선택된 어느한 물질의 산화물 또는 이들로 부터 선택된 적어도 두 물질이 혼합된 화합물의 산화물을 제2실링산화물층으로서 형성하는 제5단계; 메탈라인이 형성될 부위가 오픈되도록 상기 제2실링산화물층과 상기 제2탄소화합물층을 식각하는 제6단계; 상기 제6단계 수행에 의해 드러난 상기 제1탄소화합물층을 식각하는 제7단계; 결과물 전면에 메탈층을 형성하고 상기 제2실링산화물층이 드러나도록 화학적기계적연마하는 제8단계; 및 상기 제1 및 제2 탄소화합물층을 애싱하여 기상의 저유전체를 형성하는 제9단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
