制造场效应晶体管的方法

摘要

本发明提出一种制造场效应晶体管的方法，在该方法中，生长一半导体薄层序列，在其上淀积一介质钝化层，并且使此钝化层结构化以形成源、栅和漏区。通过多次蒸发淀积和多次RIE腐蚀过程、同时借助辅助层和钝化层侧壁上的侧墙，以较简单的方法，得到平面化的耐高温金属化的源、栅和漏的接触并最后淀积引线金属化层。另一实施方案是把钝化层制成多层结构，使有可能进一步减小电极间的寄生电容。$#!

主权项

1.一种制造场效应晶体管的方法，在该方法中实施下列工艺步骤：a)在半导体材料衬底(1)上，至少生成一半导体材料沟道层(2)、一势垒层(3)和适于同一种金属形成低欧姆电阻的一半导体材料欧姆接触层(6)；b)覆盖一钝化层(8)，该钝化层在要制造栅的区域内有开孔(9)；c)实现各向异性地淀积一辅助层(10)，并且淀积时对半导体层倾斜入射至这样的程度，使在钝化层中这个开孔区域内的欧姆接触层的半导体材料上侧，由这种辅助层(10)的材料留出空白；d)采用此辅助层(10)作为掩膜，将半导体材料向下腐蚀直至势垒层(3)；e)去除该辅助层；f)通过整个表面均匀淀积另一辅助层和随后对其进行各向异性反腐蚀，在钝化层(8)的侧壁制造侧墙(11，12)；g)整个表面淀积一耐高温的、难熔的金属化层(13)；h)对此金属化层大体上平面化地反腐蚀，保留余下隔开的源、栅和漏的接触，以及i)这些接触覆盖上一引线金属化层(14)。