半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法

摘要

半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法,包括:在半导体面发光器件的n区(或p区)具有增强平行于p－n结平面的电子迁移率的二维电子气(二维空穴气),以及在光输出面具有增强透光性网格状的电极。含有新结构的半导体面发光器件(如:发光二极管,面输出的激光二极管等)具有光输出效率高,整个发光面发光均匀,避免了对厚度要求极其苛刻的金属透明电极,或减少了器件的厚度,以及由此带来制作成本低廉的优点。

主权项

1.一种半导体面发光器件增强横向电流扩展的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：1、在蓝宝石衬底上依次生长1～10微米的n型氮化镓、有源区、0.1～1微米的p型氮化铝镓，0.1～1微米的p型氮化镓等，形成器件的外延材料；2、采用常规的光刻工艺、刻蚀工艺等器件工艺，将外延材料的部分表面刻蚀，露出n型氮化镓；3、采用常规的金属蒸发等器件工艺，在p型氮化镓层上形成p-电极，在n型氮化镓层上形成n-电极；4、将器件切割成小块，器件的横向尺寸不小于100微米，最后是器件封装。