发明名称 | 写入禁止电路,使用了该电路的半导体集成电路,具有该半导体集成电路的墨水匣以及喷墨记录装置 | ||
摘要 | 在把数据写入请求信号WR作为输入,根据输出的写入控制信号WRITE禁止数据写入的写入禁止电路中,抑制芯片面积的同时减小动作电流。在电流镜电路CM中,通过把基准电流Iref与在N晶体管T3的源-漏间流过的电流ID进行比较,能够检测高电位电源VDD中的电压值。即,在高电位电源VDD的电压值充分高时,写入请求信号WR直接作为写入控制信号输出。另一方面,如果高电位电源VDD的电压值由于某种原因下降,则通过作为基准电压源的晶体管T6和缓冲门B2,与写入请求信号WR是“H”还是“L”无关,写入控制信号都成为“L”。即,在电源电压降低了时,由于不能够进行基于写入请求信号WR的写入,因此能够防止误写入。 | ||
申请公布号 | CN1339162A | 申请公布日期 | 2002.03.06 |
申请号 | CN00803466.4 | 申请日期 | 2000.10.04 |
申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 高木哲男 |
分类号 | G11C17/00;B41J2/175 | 主分类号 | G11C17/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
主权项 | 1.一种写入禁止电路,该写入禁止电路把数据写入请求信号作为输入,通过输出的写入控制信号禁止上述数据的写入,其特征在于:包括电流镜电路,该电流镜电路由包括成为基准电流源的耗尽型晶体管的多个晶体管在高电位电源与低电位电源之间串联连接构成的第1晶体管列与多个晶体管串联连接在上述高电位电源与上述低电位电源之间,并且流过对应于上述数据写入请求信号的电流的第2晶体管列并联连接构成,导出基于上述基准电流源的基准电流与对应于上述输入信号的电流的比较结果的输出,在上述高电位电源的电压降低时导出对应于基于上述基准电流源的电流的输出。 | ||
地址 | 日本东京都 |