发明名称 压电组件
摘要 一种压电元件,包含多个由含有Sr,Bi,Nb,和O的压电材料构成的压电层,至少3个彼此相对的振动电极,每一个设置在压电层之间,以及形成在振动电极重叠的区域中的能量约束区域,能量约束区域平行于振动电极的平面,并激励n次谐波纵向厚度振动。能量约束区域的外周的两个交叉点之间的割线的最大长度L,和最上面振动电极和最底下振动电极之间的距离t满足nL/t比值小于10。压电元件是热稳定的,并且具有窄的容许误差。
申请公布号 TW478246 申请公布日期 2002.03.01
申请号 TW089115413 申请日期 2000.08.01
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 安藤 阳;木村 雅彦;泽田 拓也
分类号 H03H9/00 主分类号 H03H9/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种压电元件,包含:多个含有压电材料的压电层,所述压电材料包含Sr,Bi,Ti,和O;至少三个彼此相对的振动电极,每一个所述振动电极设置在所述压电层之间;和形成在振动电极重叠的区域中的能量约束区域,所述能量约束区域平行于振动电极的平面,并且激励n次谐波纵向厚度振动;其中,在能量约束区域的外周的两个交叉点之间的割线的最大长度L,和最上面振动电极和最底下振动电极之间的距离t满足nL/t比値小于10。2.如申请专利范围第1项所述的压电元件,其中压电材料包含SrBi4Ti4O15。3.一种压电元件,包含:多个含有压电材料的压电层,所述压电材料包含有Ca,Bi,T,和O;至少三个彼此相对的振动电极,每一个设置在所述压电层之间;和形成在振动电极重叠的区域中的能量约束区域,所述能量约束区域平行于振动电极的平面,并激励n次谐波纵向厚度振动;其中,能量约束区域的外周的两个交叉点之间的割线的最大长度L,和最上面振动电极和最底下振动电极之间的距离t满足nL/t比値小于9。4.如申请专利范围第3项所述的压电元件,其中压电材料包含CaBi4Ti4O15。5.一种压电元件,包含:多个含有压电材料的压电层,所述压电材料含有Sr,Bi,Nb,和O;至少三个彼此相对的振动电极,每一个设置在压电层之间;和形成在所述振动电极重叠的区域内的能量约束区域,所述能量约束区域平行于所述振动电极的平面,并激励n次谐波纵向厚度振动;其中,能量约束区域的外周的两个交叉点之间的割线的最大长度L和最上面振动电极和最底下振动电极之间的距离t满足nL/t比値小于10。6.如申请专利范围第5项所述的压电元件,其中压电材料包含SrBi2Nb2O9。7.如申请专利范围第1到6项中任一项所述的压电元件,其中最上面振动电极和最底下振动电极形成在压电层的外部表面上。图式简单说明:图1是本发明的压电元件的实施例的示图;图2是图1所示的压电元件的侧视图;图3是压电元件的制造步骤的分解图;图4是压电元件的测试电路的示图;图5是当例子1中能量约束区域的直径是2mm时阻抗对频率特性的曲线图;图6是当例子1中的nL/t的値变化时,压电元件的阻抗的峰谷比;图7是本发明的压电元件的另一个实施例的示图;图8是当例子2中的能量约束区域的直径是2mm时,阻抗对频率特性的曲线图;图9是当例子2中的nL/t的値变化时,压电元件的阻抗的顶一低比的曲线图;图10是当例子3中能量约束区域的直径是2mm时,阻抗对频率特性的曲线图;图11是当例子3中的nL/t的値变化时,压电元件的阻抗的峰谷比的曲线图。
地址 日本