| 主权项 |
1.一种晶片元件封装结构,该封装结构包括:至少一个晶片元件,该晶片元件具有第一表面及第二表面;至少一个贯通导孔贯通该晶片元件,该贯通导孔内并有导通材料;至少一个具有第一表面及第二表面之基板,该基板第一表面与该晶片元件贴合;至少一个基板导孔贯通该基板,该基板导孔内并有导通材料;复数个接垫,形成于该晶片元件或基板之第二表面上。2.如申请专利范围第1项所述之晶片元件封装结构,其中该晶片元件系为积体电路晶片或具有光电讯号输出/输入之晶片或电容晶片或电阻晶片或电感晶片者。3.如申请专利范围第1项所述之晶片元件封装结构,其中该基板为塑胶印刷电路板者。4.如申请专利范围第1项所述之晶片元件封装结构,其中该基板材料为玻璃或陶瓷者。5.如申请专利范围第1项所述之晶片元件封装结构,其中该基板为具有至少一导电层者。6.如申请专利范围第5项所述之晶片元件封装结构,其中该基板之导电层,系具有导电线路者。7.如申请专利范围第5项所述之晶片元件封装结构,其中该基板之导电层,系具有电源或接地电路者。8.如申请专利范围第1项所述之晶片元件封装结构,其中该导通材料,系为金属材料或导电树脂材料者。9.如申请专利范围第1项所述之晶片元件封装结构,其中该导通材料,系为具光传导性质之材料者。10.如申请专利范围第9项所述之晶片元件封装结构,其中具光传导性质之材料,系为树脂或玻璃陶瓷之光纤维或接着剂者。11.如申请专利范围第1项所述之晶片元件封装结构,其中该基板导孔,系为具有将光传导性质材料对准晶片接垫之功能者。12.如申请专利范围第1项所述之晶片元件封装结构,其中该晶片元件及基板之第二表面上之接垫为由一层金或镍或铜或钨或钛或其合金之金属层所形成者。13.如申请专利范围第1项所述之晶片元件封装结构,其中该晶片元件及基板之第二表面上之接垫为由一层以上之金或镍或铜或钨或钛或其合金之不同金属层所形成者。14.如申请专利范围第1项所述之晶片元件封装结构,其中该晶片元件第一表面及基板之第一表面间之空隙,填入填充剂者。15.如申请专利范围第14项所述之晶片元件封装结构,其中该填充剂系为环氧树脂者。16.如申请专利范围第14项所述之晶片元件封装结构,其中该填充剂系为矽基树脂者。图式简单说明:第一A图及一B图显示习知之导线架封装(Lead FramePackage)之堆叠结构。第二A图为使用化学蚀刻制程所制作之大而浅之晶片贯通导孔16及较深之晶片贯通导孔161。第二B图为使用电浆蚀刻制程所制作之小而深之晶片贯通导孔17。第三A图至三D-3图为本发明之加强型晶片元件封装制作过程之实施例:第三A图及第三B图为本发明之基板40第一表面与晶圆10第一表面贴合制程。第三C图为本发明之基板40第二表面与晶圆10第二表面研磨制程。第三D图为本发明之第一实施例横切面图。第三D-1图为本发明之第二实施例横切面图。第三D-2图为本发明第三实施例之横切面图。第三D-3图为本发明之晶圆封装经切割分离为加强型晶片元件封装制程说明。第三E图为本发明之改良基板实施例横切面图。第三F图为利用本发明之加强形晶片元件封装,所形成之3D堆叠结构之横切面图。 |
