| 摘要 |
<p>Um ein Substrat (1) aus GaN mit Magnesium aus einer Dotierschicht (3) zu dotieren, ist die Dotierschicht (3) mit einer Schutzschicht (4) abgedeckt, die verhindert, dass Stickstoff-Atome aus dem Substrat (1) ausdiffundieren. Diese Massnahme gewährleistet, dass sich der Typ der Leifähigkeit des Substrats (1) während des Dotiervorgangs nicht verändert.</p> |
