| 发明名称 | 磁阻随机存取存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MRAM装置,其中线路驱动电路(6,7)经连接节点(4,5)各自分配给两存储器单元区(1,2或2,3),因此用于驱动电路的面积实际上可以减半。 | ||
| 申请公布号 | CN1337716A | 申请公布日期 | 2002.02.27 |
| 申请号 | CN01122148.8 | 申请日期 | 2001.07.03 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | T·贝姆;H·坎多夫;S·拉默斯 |
| 分类号 | G11C11/15;G11C8/08;G11C7/12 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
| 主权项 | 1. 由至少两个存储器单元区(1，2，3)构成的MRAM装置，其内在字线(WL)和位线(BL)的交叉处各提供存储器单元，其中由字线(WL)和位线(BL)构成的至少一种线路类型备有线路驱动电路(6，7)，其特征为：线路驱动电路(6，7)各自接到在两存储器单元区(1，2或2，3)之间的连接节点(4，5)上，并且各一只开关晶体管(13，14或15，16)处在连接节点(4或5)和两存储器单元区(1，2或2，3)之间，因此线路驱动电路(6，7)各自分配给不同的存储器单元区(1，2)。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||