| 发明名称 |
METHOD FOR FABRICATION OF A LOW RESISTIVITY MOSFET GATE WITH THICK METAL SILICIDE ON POLYSILICON |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1181711(A2) |
申请公布日期 |
2002.02.27 |
| 申请号 |
EP20000917912 |
申请日期 |
2000.03.13 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES INC. |
发明人 |
BUYNOSKI, MATTHEW, S. |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L29/49;(IPC1-7):H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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