| 发明名称 | 在磁式随机存取存储器内阻止电迁移的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在MRAM内阻止电迁移的方法,其中在所述的编程步骤之后,如此地给字线和位线输入一个补偿电迁移的反极性的信号,使得在所述存储单元内不会发生编程。 | ||
| 申请公布号 | CN1337712A | 申请公布日期 | 2002.02.27 |
| 申请号 | CN01122147.X | 申请日期 | 2001.07.03 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | P·佩赫米勒 |
| 分类号 | G11C11/02;G11C8/00;G11C7/00 | 主分类号 | G11C11/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种在MRAM内阻止电迁移的方法，所述的MRAM由字线(WL)、与字线(WL)交叉的位线(BL)、以及设于所述字线(WL)和位线(BL)之同交叉点上的电阻(R)构成，通过磁场可如此地作用于所述电阻的电阻值，使得以如下方式将该电阻值分配给两个逻辑状态“0”或“1”，即在一个编程步骤中，经所选电阻所属的字线和位线分别同时发送一个一同产生磁场的直流信号，其特征在于：在所述的编程步骤之后，对于施加了直流信号的字线和位线(WL，BL)，经它们再发送一个与所述直流信号的极性相反的另一直流信号。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||