| 摘要 |
<p>트렌치에 매입된 절연막을 평탄화한 후, 활성화 영역의 질화막을 제거하기 위한 습식 세정 공정에서 절연막과 열산화막 사이의 습식 식각 속도의 차이에 의해 반도체 소자 영역과 반도체 소자 분리 영역인 트렌치의 끝 부분에 트렌치 코너 결함이 발생하는 것을 방지하기 위하여, 트렌치 식각을 위한 모트 패턴 형성 이전에, 질화막을 트렌치 폭보다 넓은 폭을 갖도록 패터닝하여, 후속 공정에서 평탄화된 트렌치 매입 절연막의 상부 폭이 트렌치 폭보다 넓게 형성되도록 함으로써, 반도체 소자 영역인 활성화 영역과 반도체 소자 분리 영역의 경계에서 형성되는 트렌치 코너 결함을 근본적으로 방지할 수 있으며, 이 결함을 근본적으로 차단함으로써 이로 인하여 유발될 수 있는 결함인 게이트 전압과 드레인 전류의 특성 곡선의 특징적 변화를 방지하여, 결과적으로 이로 인한 누설 전류의 방지와 더불어 반도체 소자 제품의 완성도와 신뢰도를 향상시킨다.</p> |
