| 摘要 |
<p>기판 위에 소스 및 드레인 영역과 게이트를 각각 포함하는 다수의 단위 소자와 소자를 분리하는 소자 분리 영역을 형성한 다음, 적어도 하나의 단위 소자를 드러내는 감광막 패턴을 형성한다. 감광막 패턴을 마스크로 하여 이온 주입을 실시하고 감광막 패턴을 제거한다. 기판 전면에 고융점 금속막을 증착한 후, 1차 열처리를 실시하여 이온이 주입되지 않은 단위 소자의 소스 및 드레인 영역과 게이트 상부에 실리사이드막을 형성한다. 고융점 금속막을 제거하고, 필요에 따라 2차 열처리를 실시하여 단위 소자간의 저항이 다른 반도체 소자를 형성할 수 있다.</p> |
