| 主权项 |
1.一种光电收发器(optoelectronic transceiver),至少包含 : 一第一电路板,具有一第一上表面、一第一下表面 以及复数个接脚,该第一上表面具有一电路,该接 脚突起于与该第一下表面; 一传送装置,位于该第一电路板上,该传送装置更 包含: 一第二电路板; 一雷射二极体晶片,位于该第二电路板上,该雷射 二极体晶片电性耦合于该电路,该雷射二极体晶片 因应于该电路之一电讯号而输出一雷射光; 一第一对准套筒(sleeve),具有一第一弧面端及一第 二弧面端,该第一弧面端及该第二弧面端位于该对 准套筒之相反两端,该第一对准套筒包覆该第二电 路板以及该雷射二极体晶片,且该第一弧面端位于 该雷射二极体晶片之光输出路径上,该第一弧面端 使该雷射光于该套筒中平行地行进而不发散,该第 二弧面端使该雷射光可聚集地投射出去; 一接收装置,位于该第一电路板上,该接收装置更 包含: 一第三电路板; 一光二极体(Photo diode)晶片,位于该第三电路板上, 该光二极体晶片电性耦合于该电路,该光二极体晶 片因应于一光讯号而输出一电讯号至该电路; 一第二对准套筒(sleeve);具有一第一弧面端及一第 二弧面端,该第一弧两端及该第二弧面端位于该第 二对准套筒之相反两端,该第二对准套筒包覆该第 三电路板以及该光二极体晶片,且该第二弧面端位 于该光二极体晶片之光输入路径上,该第二弧面端 使该光讯号入射至该第二对准套筒中,该第一弧面 端使该光讯号聚集地投射至该光二极体晶片;及 一外壳,包覆该第一电路板、该传送装置以及该接 收装置。2.如申请专利范围第1项所述之光电收发 器,其中上述雷射二极体晶片至少包含半导体雷射 二极体晶片。3.如申请专利范围第1项所述之光电 收发器,其中上述雷射二极体晶片至少包含边射雷 射二极体(Fabry-Perot laser diode;FPLD)晶片以及垂直共 振腔面射雷射二极体(vertical cavity surface emitting laser diode;VCSEL)。4.如申请专利范围第1项所述之光 电收发器,其中上述第一及第二对准套筒之第二弧 面端系对准一光纤连接器之一套圈(ferrule)。5.如 申请专利范围第1项所述之光电收发器,其中上述 第一对准套筒包覆上述第二电路板所形成的空间 中更填充有惰性气体。6.如申请专利范围第1项所 述之光电收发器,其中上述光讯号系来自一光纤。 7.如申请专利范围第1项所述之光电收发器,其中上 述第一及第二对准套筒系为透明或不透明。8.如 申请专利范围第1项所述之光电收发器,其中上述 第一及第二对准套筒之材质的介电强度约为22至33 。9.一种光电收发器(optoelectronic transceiver),至少包 含: 一第一电路板,具有一电路; 一传送装置,位于该第一电路板上,该传送装置更 包含: 一第二电路板,具有一第二上表面及一第二下表面 ,该第二下表面具有导线,该第二电路板电性耦合 于该第一电路板; 一雷射二极体晶片,位于该第二电路板之第二上表 面上,该雷射二极体晶片电性耦合于该第二下表面 之导线,该雷射二极体晶片因应于该电路之一电讯 号而输出一雷射光; 一第一对准套筒(sleeve),具有一第一弧面端及一第 二弧面端,该第一弧面端及该第二弧面端位于该对 准套筒之相反两侧,该第一对准套筒包覆该第二电 路板及该雷射二极体晶片,且该第一弧面端位于该 雷射二极体晶片之光输出路径上,该第一弧面端使 该雷射光于该第一套筒中平行地行进而不发散,该 第二弧面端使该雷射光聚集地射出; 一接收装置,位于该第一电路板上,该接收装置更 包含: 一第三电路板,具有一第三上表面及一第三下表面 ,该第三下表面具有导线,该第三电路板电性耦合 于该第一电路板; 一光二极体(Photo diode)晶片,位于该第三电路板之 第三上表面上,该光二极体晶片电性耦合于该第三 下表面之导线,该光二极体晶片因应于一光讯号而 输出一电讯号;及 一第二对准套筒(sleeve),具有一第一弧面端及一第 二弧面端,该第一弧面端及该第二弧面端位于该对 准套筒之相反两侧,该第二对准套筒包覆该第三电 路板之上表面及该光二极体晶片,且该第二弧面端 位于该光二极体晶片之光输入路径上,该第二弧面 端使一光讯号入射至该第二对准套筒中,该第一弧 面端使该雷射光聚集地投射至该光二极体晶片。 10.如申请专利范围第9项所述之光电收发器,更包 含一外壳,用以包覆该第一电路板、该传送装置以 及该接收装置。11.如申请专利范围第9项所述之光 电收发器,其中上述第一电路板更具有复数个突起 之接脚。12.如申请专利范围第9项所述之光电收发 器,其中上述雷射二极体晶片至少包含半导体雷射 二极体晶片。13.如申请专利范围第9项所述之光电 收发器,其中上述雷射二极体晶片至少包含边射雷 射二极体(Fabry-Perot laser diode;FPLD)晶片以及垂直共 振腔面射雷射二极体(vertical cavity surface emitting laser diode;VCSEL)。14.如申请专利范围第9项所述之光 电收发器,其中上述第一及第二对准套筒之第二弧 面端系对准一光纤连接器之一套圈。15.如申请专 利范围第9项所述之光电收发器,其中上述第一对 准套筒包覆上述第二电路板所形成的空间中更填 充有惰性气体。16.如申请专利范围第9项所述之光 电收发器,其中上述光讯号系来自一光纤。17.如申 请专利范围第9项所述之光电收发器,其中上述第 一及第二对准套筒系为透明或不透明。18.如申请 专利范围第10项所述之光电收发器,其中上述第一 及第二对准套筒之材质的介电强度约为22至33。图 式简单说明: 第1图系一习知光电接收器的爆炸图。 第2图系本发明之光电接收器的示意图。 第3图系本发明之对准套筒的剖面俯视图。 |
