| 主权项 |
1.一种结合一第一段抛光垫及一第二段抛光垫的 方法,该第一段抛光垫系用于使一半导体晶圆化学 机械平面化,而该第二段抛光垫系用以使一半导体 晶圆化学机械平面化,该方法包含: (a)将该第一段抛光垫相对于该第二段抛光垫定位; 及 (b)将该第一段抛光垫焊接于该第二段抛光垫。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中(a)包含将该第 一段抛光垫定位成使它的一部份重叠该第二段抛 光垫的一部份。3.如申请专利范围第1项之方法,其 中(a)包含将该第一段抛光垫定位成使它顶抵该第 二段抛光垫。4.如申请专利范围第1项之方法,其中 (a)包含将该第一段抛光垫定位成使它的一部份与 该第二段抛光垫的一部份互相锁合。5.如申请专 利范围第1项之方法,其中(b)包含以超音波焊接法 焊接该等第一与第二段。6.如申请专利范围第1项 之方法,其中(b)包含以惯性焊接法焊接该等第一与 第二段。7.如申请专利范围第1项之方法,其中(b)包 含以振动焊接法焊接该等第一与第二段。8.如申 请专利范围第1项之方法,其中(b)包含以融合焊接 法焊接该等第一与第二段。9.如申请专利范围第1 项之方法,其中(b)包含以热气体焊接法焊接该等第 一与第二段。10.如申请专利范围第1项之方法,其 中(b)包含以绝缘焊接法焊接该等第一与第二段。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中(b)包含以导 入焊接法焊接该等第一与第二段。12.一种用于使 一半导体晶圆化学机械平面化的抛光垫,该抛光垫 包含: 一第一段抛光垫;及 一第二段抛光垫,其系焊接于该第一段抛光垫。13. 如申请专利范围第12项之抛光垫,其中该第一段抛 光垫具有一第一端且该第二段抛光垫具有一第二 端,而该第一端顶抵该第二端。14.如申请专利范围 第12项之抛光垫,其中该第一段抛光垫具有一第一 端且该第二段抛光垫具有一第二端,而该第一端与 该第二端重叠。15.如申请专利范围第12项之抛光 垫,其中该第一段抛光垫具有一第一端且该第二段 抛光垫具有一第二端,而该第一端与该第二端互相 锁合。16.如申请专利范围第12项之抛光垫,还包含 一钢带,该钢带系与该第一与第二段抛光垫结合。 17.如申请专利范围第12项之抛光垫,其中该第一段 抛光垫包含一抛光垫部份及一缓冲垫部份。18.如 申请专利范围第12项之抛光垫,其中该第二段抛光 垫包含一抛光垫部份及一缓冲垫部份。19.一种用 于使一半导体晶圆化学机械平面化的抛光垫,该抛 光垫包含: 一第一抛光垫部份,其具有一第一端及由该第一端 延伸出来的一舌部;及 一第二抛光垫部份,其系焊接于该第一抛光垫部份 ,该第二抛光垫部份具有一第二端。20.如申请专利 范围第19项之抛光垫,其中该舌部与该第二端重叠 。21.如申请专利范围第19项之抛光垫,其中该舌部 与该第二端互相锁合。22.如申请专利范围第19项 之抛光垫,还包含一钢带,该钢带系与该第一与第 二抛光垫部份结合。23.一种用于使一半导体晶圆 化学机械平面化的抛光垫,该抛光垫包含: 一第一抛光垫部份,其具有一第一端及由该第一端 延伸出来的一舌部;及 一过滤部,其系焊接于该第一抛光垫部份,该过滤 部具有一第二端。24.如申请专利范围第23项之抛 光垫,其中该舌部与该第二端重叠。25.如申请专利 范围第23项之抛光垫,其中该舌部与该第二端互相 锁合。26.如申请专利范围第23项之抛光垫,还包含 一钢带,该钢带系与该第一抛光垫部份与该过滤部 结合。27.一种用于使一半导体晶圆化学机械平面 化的抛光垫,该抛光垫包含: 一钢带; 第一与第二缓冲垫部份,其系与该钢带结合; 一第一抛光垫部份,其系与该钢带结合,该第一抛 光垫部份系设置在该第一与第二缓冲垫部份之间; 一第二抛光垫部份,其系与该第一缓冲垫部份结合 且具有焊接于该第一抛光垫部份的一第一端;及 一第三抛光垫部份,其系焊接于该第二缓冲垫部份 且具有焊接于该第一抛光垫部份的一第二端。图 式简单说明: 第1图是一第一较佳实施例的一抛光垫的一侧视图 。 第2图是第1图之抛光垫之一部份的一侧视图。 第3图是一第二较佳实施例之一抛光垫之一部份的 一侧视图。 第4图是一第三较佳实施例之一抛光垫之一部份的 一侧视图。 第5图是一第四较佳实施例之一抛光垫之一部份的 一侧视图。 第6图是一第五较佳实施例之一抛光垫之一部份的 一上视图。 第7图是第6图之抛光垫之一部份的一侧视图。 第8图是结合一第一较佳实施例之抛光垫部份的一 方法的一流程图。 |
