| 发明名称 | 多层衰减相移掩模 | ||
| 摘要 | 本发明涉及能在选定的光刻术波长小于200nm下产生180°相移,并其光学透射系数至少为0.001的衰减嵌入式相移掩模。该掩模包含性质不同的交替邻接的光学透明物质层和光学吸收物质层,前者基本上是由选自Al和Si的氧化物组成,后者基本上是由选自Al和Si的氮化物组成。众所周知,这类掩模在专业技术领域中作为衰减(嵌入式)相移掩模或半色调相移掩模。 | ||
| 申请公布号 | CN1337012A | 申请公布日期 | 2002.02.20 |
| 申请号 | CN00802673.4 | 申请日期 | 2000.01.13 |
| 申请人 | 纳幕尔杜邦公司 | 发明人 | P·F·卡西雅 |
| 分类号 | G03F1/00 | 主分类号 | G03F1/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;王其灏 |
| 主权项 | 1.一种衰减嵌入式相移掩模，该模能在所选的光刻波长＜200nm下产生180°的相移，其光透射至少为0.001，该掩模包括：性质不同的、交替邻接的光学透明物质层和光学吸收物质层，前者基本上是由选自Al和Si的氧化物组成，后者基本上是由选自Al和Si的氮化物组成。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||