发明名称 Boron nitride and process for preparing the same
摘要 <p>(1) 나노오더의 미세결정으로 되는 육방결정 질화붕소 다결정체, (2) 평균입자직경이 20~200nm이고, 평균입자직경±30% 이내에 80중량% 이상의 입자가 포함되는 것을 특징으로 하는 육방결정 질화붕소, 및 (3) 형상이 타원반상 또는 원반상이고, 단축; La, 장축; Lb 및 두께; t가 다음 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 미세한 육방결정 질화붕소분말. 50nmLaLb400nm 20nmt150nm tLa 0.5La/Lb1.0</p>
申请公布号 KR100323941(B1) 申请公布日期 2002.02.16
申请号 KR19997000968 申请日期 1999.02.05
申请人 null, null 发明人 화우스티누스화우지;타니마사토;수주에마사요시
分类号 B32B5/16;C01B21/064 主分类号 B32B5/16
代理机构 代理人
主权项
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