发明名称 | 热板及半导体装置的制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体装置的制造方法,在放置在半导体制造装置的静电吸盘热板10上吸持晶片3时,从晶片的部向外周依次施加吸盘力。从部4向外周方向将静电吸盘电极2至少分割成2部分,并从的内周部4向外周部5依次施加吸盘电力。首先从晶片施加吸盘力并升温,这时晶片外周部由于吸盘力弱而顺利产生热膨胀,应力保持在低状态,能防止晶片破损。事前感知晶片的背面状态,所以能选择预先决定的升压、除电参数。 | ||
申请公布号 | CN1335640A | 申请公布日期 | 2002.02.13 |
申请号 | CN01125952.3 | 申请日期 | 2001.07.10 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 坚田富夫;和田纯一 |
分类号 | H01L21/02;H01L21/68;B25B11/00 | 主分类号 | H01L21/02 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1、一种热板,具备带有放置半导体衬底的凸状面的板本体和在上述板本体内形成的发热电极以及在上述板本体内形成的静电吸盘电极,其特征在于,半导体衬底被放置在上述板本体的凸状面上时,半导体衬底和凸状面之间的距离从上述板本体的中心部分向外周方向变大。 | ||
地址 | 日本东京都 |