| 主权项 |
1.一种成膜方法,其特征在于包括如下步骤:液状膜形成步骤,其系对于被处理基板,于该基板上调整成以一定量扩展,将一于溶剂中添加固形份之药液从滴下喷嘴滴下,所滴下之液体留存于基板上,同时并使滴下喷嘴与被处理基板相对地移动,而该基板之滴下开始部至滴下终了部于被处理基板上形成液状膜;及,除去前述液状膜中之溶剂而形成涂布膜之步骤;在液状膜形成步骤中,前述液状膜所含有之溶剂挥发引起之气化热会产生液状膜的温度分布,以可修正液状膜温度分布之方式,对于被处理基板进行加热或冷却,同时并于被处理基板上形成液状膜。2.根据申请专利范围第1项之成膜方法,其中前述被处理基板之滴下开始部的温度乃以比被处理基板之滴下终了部的温度还高的方式,对于被处理基板进行加热或冷却。3.根据申请专利范围第1项之成膜方法,其中前述被处理基板之外周部的温度乃从滴下开始部至滴下终了部单调地下降,同时,该基板之外周部的内侧温度以约呈一定温度的方式,对于被处理基板进行加热或冷却,该约呈一定之温度系比滴下开始部之温度还低,且比滴下终了部之温度还高。4.根据申请专利范围第1项之成膜方法,其中以前述被处理基板之滴下开始部与滴下终了部之间的区域之温度梯度消失的方式,对于被处理基板进行加热或冷却。5.根据申请专利范围第1项之成膜方法,其中以前述被处理基板之滴下终了部的温度梯度比被处理基板之滴下开始部的温度梯度还大之方式,对于被处理基板进行加热或冷却。6.根据申请专利范围第1项之成膜方法,其中以前述被处理基板之中央部的温度比被处理基板之两端部的温度还低之方式,对于被处理基板进行加热或冷却。7.根据申请专利范围第1项之成膜方法,其中滴下开始部为被处理基板中央部,且,滴下终了部为被处理基板端部;前述液状膜之形成系包括如下步骤:从被处理基板中央部至一者之被处理基板端部滴下药液之步骤:从被处理基板中央部至另一者之被处理基板端部滴下药液之步骤。8.根据申请专利范围第1项之成膜方法,其中前述药液为光阻剂、反射抑制膜剂、氧化膜剂、强介电体膜剂。9.一种成膜方法,其特征在于包括如下步骤:对于被处理基板,于该基板上调整成以一定量扩展,将一于溶剂中添加固形份之药液从滴下喷嘴滴下,所滴下之液体留存于基板上,同时并使滴下喷嘴与被处理基板相对地移动,而该基板之滴下开始部至滴下终了部滴下液体,于被处理基板上形成液状膜的步骤;及,除去前述液状膜中之溶剂而形成表面平坦之涂布膜的步骤;在液状膜之形成步骤中,前述液状膜所含有之溶剂挥发引起之气化热会产生液状膜的温度分布,以可修正液状膜温度分布之方式,对于被处理基板进行加热或冷却。10.根据申请专利范围第9项之成膜方法,其中前述被处理基板之滴下开始部的温度乃以比被处理基板之滴下终了部的温度还高之方式,对于被处理基板进行加热或冷却。11.根据申请专利范围第9项之成膜方法,其中前述被处理基板之外周部的温度乃从滴下开始部至滴下终了部单调地下降,同时,该基板之外周部的内侧温度以约呈一定温度的方式,对于被处理基板进行加热或冷却,该约呈一定之温度系比滴下开始部之温度还低,且比滴下终了部之温度还高。12.根据申请专利范围第9项之成膜方法,其中以前述被处理基板之滴下开始部与滴下终了部之间的区域之温度梯度消失的方式,对于被处理基板进行加热或冷却。13.根据申请专利范围第9项之成膜方法,其中以前述被处理基板之滴下终了部的温度梯度比被处理基板之滴下开始部的温度梯度还大之方式,对于被处理基板进行加热或冷却。14.根据申请专利范围第9项之成膜方法,其中以前述被处理基板之中央部的温度比被处理基板之两端部的温度还低之方式,对于被处理基板进行加热或冷却。15.根据申请专利范围第9项之成膜方法,其中滴下开始部为被处理基板中央部,且,滴下终了部为被处理基板端部;前述液状膜之形成系包括如下步骤:从被处理基板中央部至一者之被处理基板端部滴下药液之步骤:从被处理基板中央部至另一者之被处理基板端部滴下药液之步骤。16.根据申请专利范围第9项之成膜方法,其中前述药液为光阻剂、反射抑制膜剂、氧化膜剂、强介电体膜剂。17.一种成膜装置,其特征在于具备:对于被处理基板供给药液之滴下喷嘴;使被处理基板与滴下喷嘴相对地移动之驱动部;可载置被处理基板,且从被处理基板前述药液之滴下开始部至滴下终了部赋予温度分布之温度控制部。18.根据申请专利范围第17项之成膜装置,其中温度控制部具备:吸/放热部,其系由可进行吸热或放热,且独立控制各别温度之复数平板所构成;及设于此吸/放热部上之热扩散板。19.根据申请专利范围第17项之成膜装置,其中温度控制部具备:复数之外周平板,其系可分别独立控制被处理基板之外周部复数区域的温度;中央平板,其系可独立控制外周部之内侧中央部的温度;热扩散板,其系设于前述外周平板及中央平板之上;及间隙调整台,其系设于热扩散板上,且载置着被处理基板而于热扩散板与被处理基板之间设有空隙。20.根据申请专利范围第17项之成膜装置,其中温度控制部具备:复数之外周平板,其系可分别独立控制被处理基板之外周部复数区域的温度;热扩散板,其系设于前述外周平板及中央平板之上;及间隙调整台,其系设于此热扩散板上,且载置着被处理基板而于热扩散板与被处理基板之间设有空隙。21.一种减压乾燥装置,其特征在于具备:温度控制部,其系可载置被处理基板,且从被处理基板前述药液之滴下开始部至滴下终了部赋予温度分布;减压真空室,其系可将被处理基板及温度控制部收藏于内部,且连接于真空帮浦。22.根据申请专利范围第21项之减压乾燥装置,其中温度控制部具备:吸/放热部,其系由可进行吸热或放热,且独立控制各别温度之复数平板所构成;热扩散板,其系设于此吸/放热部上;及间隙调整台,其系设于此热扩散板上,且载置着被处理基板而于热扩散板与被处理基板之间设有空隙。23.根据申请专利范围第21项之减压乾燥装置,其中温度控制部具备:复数之外周平板,其系可分别独立控制被处理基板之外周部复数区域的温度;中央平板,其系可独立控制外周部之内侧中央部的温度;热扩散板,其系设于前述外周平板及中央平板之上;及间隙调整台,其系设于热扩散板上,且载置着被处理基板而于热扩散板与被处理基板之间设有空隙。24.根据申请专利范围第21项之减压乾燥装置,其中温度控制部具备:复数之外周平板,其系可分别独立控制被处理基板之外周部复数区域的温度;热扩散板,其系设前述外周平板及中央平板之上;及间隙调整台,其系设于此热扩散板上,且载置着被处理基板而于热扩散板与被处理基板之间设有空隙。图式简单说明:图1(a)、(b)系表示第1实施形态之涂布装置的概略构成图。图2系表示被处理基板之扫描节距方向的温度分布图。图3系表示光阻膜之扫描节距方向的膜厚分布图。图4(a)、(b)系表示第2实施形态之涂布装置的概略构成图。图5系表示被处理基板之扫描节距方向的温度分布图。图6系表示光阻膜之扫描节距方向的膜厚分布图。图7系表示第3实施形态之光阻剂的涂布方法。图8系表示第3实施形态之被处理基板的扫描节距方向之温度分布。图9系表示光阻膜之扫描节距方向的膜厚分布图。图10(a)、(b)系表示第4实施形态中除去溶剂之成膜装置的概略构成图。图11系表示第4实施形态之被处理基板的扫描节距方向之温度分布图。图12系表示光阻膜之扫描节距方向的膜厚分布图。 |
