| 摘要 |
<p>반도체장치의 게이트전극 제조방법에 대해 개시되어 있다. 본 발명의 제조방법은 게이트전극 반도체기판 상부에 게이트절연막과 도프트 폴리실리콘막과 텅스텐실리사이드막을 순차적으로 적층하며, 텅스텐실리사이드막 상부에 스트레스 완화 및 비반사 역할을 하는 반사방지막을 형성하며, 반사방지막 상부에 절연체의 하드마스크막을 형성하며, 게이트 마스크를 이용한 사진 및 식각 공정을 실시하여 적층된 하드마스크막과 반사방지막과 텅스텐실리사이드막 및 도프트 폴리실리콘막을 셀프 얼라인하도록 패터닝하여 게이트전극을 형성한다. 이에 따라, 본 발명은 텅스텐 실리사이드막과 하드마스크 사이에 버퍼용 절연막 기능을 대신할 수 있는 반사방지막을 추가 형성함으로써 상기 반사방지막에 의해 하드마스크와 텅스텐실리사이드의 열적 스트레스를 완화하여 텅스텐실리사이드와 하드마스크의 들뜸 현상을 방지한다.</p> |
