| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium von vorzugsweise mit einer Ätzmaske definierten Strukturen, mittels eines Plasmas, wobei während eines Polymerisationsschrittes auf die durch die Ätzmaske definierte laterale Begrenzung der Strukturen ein Polymer aufgebracht wird, das während des nachfolgenden Ätzschrittes teilweise wieder abgetragen und auf den infolge der Ätzreaktion neu gebildeten, tiefer gelegenen Strukturseitenwänden redeponiert wird, und wobei das Ätzen mit einem Ätzgas, das 3-40 Vol.-% Sauerstoff aufweist, durchgeführt wird. DOLLAR A Hierdurch kann eine Vermeidung von Schwefelkontamination im Abgasbereich beim Hochratenätzen von Silicium erreicht werden.
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