发明名称 | 半导体光放大器 | ||
摘要 | 本发明揭示一种半导体光放大器,包括具有多个平坦边缘表面的半导体器件,至少一个在所述半导体器件上具有输入和输出的波导,所述波导的至少一部分由有源半导体材料形成,所述输入和输出位于所述半导体器件的相同或者邻接边缘表面上。 | ||
申请公布号 | CN1334982A | 申请公布日期 | 2002.02.06 |
申请号 | CN99816124.1 | 申请日期 | 1999.12.09 |
申请人 | 博克汉姆技术股份有限公司;奥托速度股份有限公司 | 发明人 | J·R·蒂德马什;R·F·达拉拉;J·A·埃克纳 |
分类号 | H01S5/50;H01S5/02;G02B6/28 | 主分类号 | H01S5/50 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
主权项 | 1.一种半导体光放大器,其特征在于,包括具有多个平坦边缘表面的半导体器件,至少一个在所述半导体器件上具有输入和输出的波导,所述波导的至少一部分由有源半导体材料形成,所述输入和输出位于所述半导体器件的相同或者邻接边缘表面上,并且以对于在形成输入和/或输出的边缘表面的法线成角度地形成延长的对准边。 | ||
地址 | 英国牛津郡 |