| 发明名称 | 改良的发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种改良的发光二极管，其由基板、发光层及分别在基板底面与发光层顶面连接的二电极所构成，基板与发光层是GaN、SiC、GaP、GaAsP或AIGaAs结构的透明或半透明的构件，基板底面的面积小于发光层顶面的面积，发光层的侧面是由其顶面向下渐缩而呈倾斜形状。使用时，发光层产生的光线可经其倾斜的侧面射出，具有增加发光二极管的透光率的功效。 | ||
| 申请公布号 | CN2476105Y | 申请公布日期 | 2002.02.06 |
| 申请号 | CN01207233.8 | 申请日期 | 2001.02.28 |
| 申请人 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发明人 | 叶寅夫 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种改良的发光二极管，其至少包括基板、发光层及分别在基板底面与发光层顶面连接的背面电极与正面电极，该基板与发光层是GaN、SiC、GaP、GaAsP或AIGaAs结构的透明或半透明的构件，其特征在于：该基板底面的面积小于发光层顶面的面积，该发光层的侧面是由其顶面向下渐缩而呈倾斜形状。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县 | ||