发明名称 | 半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻 | ||
摘要 | 一种半导体陶瓷。其中包括铒,它在主要成份钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅和钛酸钙中作半导体媒介,半导体陶瓷的平均颗粒直径大约超过约5μm,但不到约14μm。此外,在每100mol的主要成份中,半导体陶瓷包含:一种作为添加物的含有Er的化合物,其中Er超过约0.10mol但不到约0.33mol;一种含有Mn的化合物,其中Mn为约0.01mol或更多但不到约0.03mol一种含有Si的化合物,其中Si为约1.0mol或更多但不到约5.0mol。因此,该半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻可提供高快速击穿性,在通断应用测试中能体现很好的效果且电阻率值不规则性很小。 | ||
申请公布号 | CN1334568A | 申请公布日期 | 2002.02.06 |
申请号 | CN01122782.6 | 申请日期 | 2001.07.20 |
申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 长尾吉高;并河康训;广田俊春 |
分类号 | H01B3/12;C04B35/462;H01C7/02;H04N9/29 | 主分类号 | H01B3/12 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 钱慰民 |
主权项 | 1.一种半导体陶瓷,其特征在于包括:主要成份,包括钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅和钛酸钙以及含铒的半导体媒介物;其中所述半导体陶瓷的平均颗粒直径超过约5μm但不到约14μm。 | ||
地址 | 日本京都府 |