发明名称 半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻
摘要 一种半导体陶瓷。其中包括铒,它在主要成份钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅和钛酸钙中作半导体媒介,半导体陶瓷的平均颗粒直径大约超过约5μm,但不到约14μm。此外,在每100mol的主要成份中,半导体陶瓷包含:一种作为添加物的含有Er的化合物,其中Er超过约0.10mol但不到约0.33mol;一种含有Mn的化合物,其中Mn为约0.01mol或更多但不到约0.03mol一种含有Si的化合物,其中Si为约1.0mol或更多但不到约5.0mol。因此,该半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻可提供高快速击穿性,在通断应用测试中能体现很好的效果且电阻率值不规则性很小。
申请公布号 CN1334568A 申请公布日期 2002.02.06
申请号 CN01122782.6 申请日期 2001.07.20
申请人 株式会社村田制作所 发明人 长尾吉高;并河康训;广田俊春
分类号 H01B3/12;C04B35/462;H01C7/02;H04N9/29 主分类号 H01B3/12
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 钱慰民
主权项 1.一种半导体陶瓷,其特征在于包括:主要成份,包括钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅和钛酸钙以及含铒的半导体媒介物;其中所述半导体陶瓷的平均颗粒直径超过约5μm但不到约14μm。
地址 日本京都府