发明名称 SOLID-STATE IMAGE SENSOR
摘要 <p>본 발명은 (a) 각각 전하를 수직으로 전송시키기 위한 다수의 제1 전하 전송부(2); (b) 전하 장벽 영역(14) 및 전하 축적 영역(13)을 포함하며, 전하를 수평으로 전송시키기 위한 제2 전하 전송부(3); (c) 제2 전하 전송부(3)에 인접하게 위치하는 제1 전위 장벽부(15); 및 (d) 제1 전위 장벽부(15)에 인접하게 위치하는 과잉 전하 배출부(16)를 포함하되; (e) 다수의 제2 전위 장벽부(18)가 제1 전위 장벽부(15) 내에 위치하고, 상기 제2 전위 장벽부(18)가 인접한 전위 장벽부로부터 거리를 두고 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 센서를 제공한다. 고체 촬상 센서는 신호 전하가 과잉 전하 배출부로 누전되는 것을 방지할 수 있으므로, 전하 전송 효율의 향상을 보장한다.</p>
申请公布号 KR100320890(B1) 申请公布日期 2002.02.06
申请号 KR19990039974 申请日期 1999.09.17
申请人 null, null 发明人 나까시바야스따까
分类号 H01L27/146;H01L27/148;H04N5/335;H04N5/341;H04N5/369;H04N5/372 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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