| 发明名称 | 与硅具有结晶碱土金属氧化物界面的半导体结构 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构包括硅衬底(10),一层或多层单晶氧化物(26),在硅衬底和一层或多层单晶氧化物之间的界面(14),所说界面利用与硅的晶格常数匹配的结晶材料制造。所说界面包括XSiO<SUB>2</SUB>形式的硅、氧和金属原子层,其中X是金属。 | ||
| 申请公布号 | CN1334595A | 申请公布日期 | 2002.02.06 |
| 申请号 | CN00120218.9 | 申请日期 | 2000.07.13 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 王峻;威廉·杰伊·乌姆斯;杰拉尔德·艾伦·霍尔马克 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/00;H01L29/04;H01L29/12 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，其特征在于：硅衬底；一层或多层单晶氧化物；在硅衬底和一层或多层单晶氧化物之间的界面，所说界面以与硅的晶格常数匹配的单原子层结晶材料为特征，所说结晶材料以硅、氧和金属为特征。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||