| 发明名称 |
Transistors having optimized source-drain structures and methods for making the same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US6344405(B1) |
申请公布日期 |
2002.02.05 |
| 申请号 |
US20000546801 |
申请日期 |
2000.04.11 |
| 申请人 |
PHILIPS ELECTRONICS NORTH AMERICA CORP. |
发明人 |
SAHA, SAMAR, K. |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/425 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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