| 主权项 |
1.一种具有宽广开/关延迟动态范围之电子电路,包括:一开关元件用以控制被供至一负载之电源;及一被耦合于该开关元件之启动元件用以启动该开关元件以控制供至负载之电源,该启动元件包括一感测器用以感测是否有一情况良好之变化及用以在一感测一情况良好之变化时藉该开关之该起动之元件来延迟起动。2.如申请专利范围第1项之电路,其中该开关元件包括一全氧半导体场效电晶体(MOSFET);及其中该启动元件另包括一电容器及一开关3.如申请专利范围第2项之电路,其中MOSFET系属于加强型及包括一汲极电极,一闸极电极及一源极电极,而源极电极系耦合至接地电位;其中负载系被耦合于一电源及MOSFET之源极电极之间;其中电容器系耦合于电源及该启动元件之开关之间;其中该启动元件之开关系耦合于电容器及MOSFET之闸极电极之间;及其中该感测器系耦合于该开关元件之闸极电极及接地电位之间。4.如申请专利范围第2项之电路,其中MOSFET系属于加强型及包括一汲极电极,一闸极电极及一源极电极,而源极电极系耦合至接地电位;其中该启动元件之开关具有第一及第二端,而第一端系耦合于电源;其中负载系被耦合在该启动元件之开关之第二端及MOSFET之汲极电极之间;其中电容器系耦合在该开关元件之汲极及闸极电极之间;及其中该感测器系耦合在该开关元件之闸极电极及接地电位之间。5.如申请专利范围第2项之电路,其中MOSFET系属于加强型及包括一汲极电极,一闸极电极及一源极电极,而源极系被耦合于一接地电位;其中负载系被耦合在电源及MOSFET之汲极电极之间;其中电容器系耦合在MOS电晶体之闸极电极及接地电位之间;其中该启动元件之开关系耦合于该感测器及MOSFET之闸极电极之间;及其中该感测器系耦合在电源及该启动元件之开关之间。6.如申请专利范围第1项或第5项之电路,其中情况良好之变化包括一负载。7.如申请专利范围第1项或第5项之电路,其中情况良好之变化包括环境温度之增加。8.如申请专利范围第2项之电路,其中MOSFET系属于加强型及包括一汲极电极 一闸极电极及一源极电极,而源极电极系耦合于一接地电位;其中该启动元件之开关具有第一及第二端,而第一端系耦合一电源;其中负载系被耦合于该启动元件之开关之第二端及MOSFET之汲极电极之间;其中电容器系耦合于该开关元件之闸极电极及一接地电位之间;及其中该感测器系耦合于MOSFET之汲极及闸极电极之间。9.如申请专利范围第3.4.5或8项之电路,其中该感测器包括一正温度系数(PTC)元件。10.一种用于具有宽广开/关延迟动态范围之电子电路之方法,包括下列步骤:切换以控制被供至一负载之电源;控制供至负载之电源之切换;感测是否有一情况良好之变化;及一感测到一情况良好之变化时,延迟供至负载之电源之切换;其中情况良好之变化包括一过负载及环境温度之增加。图式简单说明:图1A显示根据本发明之一第一具体实例;图1B显示两个例示在不同情况下第一具体实例之运作之曲线;图2A显示根据本发明之一第二具体实例;图2B显示两个例示在不同情况下第二具体实例之运作之曲线;图3A显示根据本发明之一第三具体实例;图3B显示两个例示在不同情况下第三具体实例之运作之曲线;图4A显示根据本发明之一第四具体实例;及图4B显示两个例示在不同情况下第四具体实例之运作之曲线。 |
