| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项所述之n型薄膜电晶体,其中上述基板之材质为择自SiO2及石英中之一者。3.如申请专利范围第1项所述之n型薄膜电晶体,其中上述半导体层为多晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之n型薄膜电晶体,其中上述源/汲极之构成材质为矽化镍。5.如申请专利范围第1项所述之n型薄膜电晶体,其中上述介电层为利用CVD法所形成之氧化物层。6.如申请专利范围第5项所述之n型薄膜电晶体,其中上述氧化物层为二氧化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之n型薄膜电晶体,其中上述闸极层之构成材质为金属。8.如申请专利范围第1项所述之n型薄膜电晶体,其中上述保护层为利佣PECVD法所形成之氧化物层。9.如申请专利范围第8项所述之n型薄膜电晶体,其中上述氧化物层为二氧化矽层。10.一种n型薄膜电晶体之制造方法,包括下列步骤:提供一基板;形成一半导体层于上述绝缘基板之表面;形成一介电层于上述半导体层之表面;形成一闸极层于上述介电层之表面,并使位于两边缘侧之上述介电层露出;电浆氢化在上述闸极层两边缘侧所露出之上述介电层,使具有正电电荷;形成一保护层于上述闸极层以及上述具有正电电荷之介电层表面,并使位于两边缘侧之该介电层露出;去除在上述保护层两边缘侧所露出之介电层,以使得上述半导体层之两边缘侧部份露出;以及金属化上述露出之半导体层的两边缘侧部份,以定义源/汲极。11.如申请专利范围第10项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述基板之材质为择自SiO2及石英中之一者。12.如申请专利范围第10项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述半导体层为多晶矽层。13.如申请专利范围第10项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述介电层为利用CVD法所形成之氧化物层。14.如申请专利范围第10项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述闸极层之构成材质为金属。15.如申请专利范围第10项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述电浆氢化步骤系藉由在存在有氢气及氮气之混合气体的氛围下施行一既定时间来进行。16.如申请专利范围第15项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述既定时间为1-3小时。17.如申请专利范围第10项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述保护层为利用PECVD法所形成之氧化物层。18.如申请专利范围第17项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述氧化物层为二氧化矽层。19.如申请专利范围第10项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述金属化步骤包括下列步骤:形成一金属层于上述露出之半导体层的两边缘侧部份之表面;施行一热处理步骤,以使上述半导体层的两边缘侧部份与上述金属层反应形成一金属化物,而定义出上述源/汲极;以及去除未反应成上述金属化物之其他上述金属层。20.如申请专利范围第19项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述金属层系利用PVD法所形成。21.如申请专利范围第19项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述金属层之材质为择自钛、镍及钴中之一者。22.如申请专利范围第19项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述金属层之厚度为10nm-50nm。23.如申请专利范围第19项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述热处理步骤系在一既定氛围、一既定施行温度范围及一既定施行时间下于一快速回火炉中来进行。24.如申请专利范围第23项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述既定氛围为氩气与氮气,上述既定施行温度范围为500-600℃,上述既定施行时间为30秒-2分钟。25.如申请专利范围第19项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述热处理步骤系在一既定氛围、一既定施行温度范围及一既定施行时间下于一热炉管中来进行。26.如申请专利范围第25项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述既定氛围为氩气及氮气,上述既定施行温度范围为250-500℃,上述既定施行时间为10分钟-2小时。27.如申请专利范围第19项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述去除未反应金属层之步骤系利用H2SO4与H2O2之混合溶液来进行。28.如申请专利范围第19项所述之n型薄膜电晶体之制造方法,其中上述去除未反应金属层之步骤系利用NH4OH、H2O2与H2O之混合溶液来进行。图式简单说明:第1图系表示习知薄膜电晶体之结构剖面图。第2a图-第2i图系表示本发明之n型薄膜电晶体之制作流程剖面图。第3图系表示本发明之n型薄膜电晶体之剖面说明图。第4图系表示本发明之n型薄膜电晶体之汲极电流(Id)对闸极电压(Vg)之特性图。 |
